摩根大通最新研究报告指出，全球头部存储芯片制造商的总市值已逼近万亿美元大关，而基于行业估值模型推算，到2027年这一数字有望突破1.5万亿美元，意味着头部企业仍存在显著增长空间。该机构强调，当前存储行业正经历前所未有的上升周期，其持续时间与强度均将创历史纪录。
针对市场普遍担忧的2027年DRAM产能过剩问题，摩根大通通过构建产能-位元分析模型提出反驳。数据显示，尽管2027年供需缺口可能从2026年的5%收窄至3%，但整体市场仍将维持短缺状态。特别值得注意的是，HBM（高带宽内存）对DRAM产能的挤占效应显著，其占比将从2025年的19%跃升至2027年的28%。受限于洁净室空间和工艺复杂度提升，即便三星P4、海力士M15X等新产线投产，DRAM位元出货量年增长率仍将被压制在20%以下。
市场定价机制呈现明显分化特征。企业级（B2B）市场受AI推理需求驱动，价格保持强劲态势；消费级（B2C）市场则因终端客户价格敏感度提升，面临周期性调整压力。摩根大通预测，2026年下半年至2027年上半年将出现显著价格分化：B2B领域在AI推理需求支撑下价格坚挺，而B2C领域可能因需求疲软出现价格回调。具体数据显示，2026财年DRAM平均售价（ASP）预计上涨53%，NAND ASP上涨30%；2027财年DRAM ASP仍将微涨1%，NAND ASP则可能回落6%。
AI技术发展正为存储行业创造结构性机遇。HBM领域受益于GPU与ASIC的路线竞争，需求持续旺盛。Google下一代2nm TPU计划采用HBM4，配合Rubin Pro GPU带来的4倍容量增长，将进一步加剧供应链紧张。摩根大通预计HBM供需缺口将贯穿2027年，短缺幅度达8%-12%，甚至可能延续至2028年。在企业级SSD（eSSD）市场，AI服务器对存储容量的需求是传统服务器的3倍，而HDD厂商2026年资本开支谨慎，推动eSSD需求激增，预计带动2026财年NAND价格上涨27%。
尽管主要存储厂商纷纷宣布扩产计划，但摩根大通认为实际位元供应增长将受到物理迁移挑战的制约。设备支出方面，2026/2027年DRAM晶圆厂设备（WFE）投资将分别增长19%和26%，显著快于整体资本开支增速。值得关注的是，DRAM资本密集度将维持在30%以下，NAND低于20%，均低于过去五年平均水平，显示供应端保持理性扩张态势。这种可控的资本支出强度，有助于维持市场供需平衡，避免过度竞争导致的价格崩塌。
