Intel近日宣布了一项重大进展，其前沿的18A工艺（即1.8纳米工艺）已经准备就绪，专为首批客户项目量身打造，并定于2025年上半年启动流片流程。
据业界观察家透露，Intel的18A工艺有望成为全球首个突破2纳米大关的半导体制造工艺，这一里程碑式的成就或将使Intel在工艺技术方面领先台积电一年。
该工艺不仅在SRAM密度方面能够与台积电相媲美，而且在每瓦性能上实现了15%的提升。尤为与Intel 3工艺（应用于至强6系列处理器）相比，18A工艺的芯片密度激增了30%。
Intel在18A工艺中融入了GAA晶体管架构，并创新性地引入了PowerVia背部供电技术，这一举措被视为解决处理器逻辑区域电压下降及干扰问题的关键策略。
反观台积电，其2nm N2制程的量产计划定于2025年底，而首批面向消费者的产品预计将在2026年中面世，时间上稍显滞后。
Intel已规划将18A制程应用于即将问世的Panther Lake系列笔记本处理器和Clearwater Forest服务器CPU，这两款备受瞩目的产品有望在年底前与消费者见面。
