德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂正式启动氮化镓（GaN）功率半导体产品的生产。这一举措标志着德州仪器GaN功率半导体的整体产能实现了四倍增长。
德州仪器技术和制造高级副总裁 Mohammad Yunus 透露，公司已成功验证200mm GaN技术，并在会津工厂实现量产。这一技术被认为是当前最具可扩展性和成本竞争力的GaN制造方法。
随着会津工厂的量产，德州仪器计划到2030年将内部制造率提升至95%以上，并确保GaN高功率、高能效半导体产品的稳定供应。
德州仪器还成功进行了300mm晶圆GaN制造工艺的试点，这将使其能够将GaN器件扩展至900V及更高电压，开拓更多应用场景。
