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马斯克得州建芯片制造中心:整合全流程,目标年产1太瓦算力2纳米芯片

2026-03-23来源:快讯编辑:瑞雪

特斯拉、太空探索技术公司以及xAI近日联合宣布,将在美国得克萨斯州奥斯汀市打造一座全新的芯片制造中心。这一合作项目旨在为机器人和太空数据中心等前沿领域提供高性能芯片支持。

据相关负责人介绍,该制造中心将覆盖芯片制造的全产业链环节,从芯片设计、光刻工艺到封装测试等步骤均将实现自主完成。项目规划建设两座晶圆厂,其中一座专注于生产汽车和机器人所需的芯片,另一座则面向太空数据中心开发专用芯片。当前技术目标锁定在量产2纳米工艺芯片,这一制程将显著提升芯片性能和能效。

项目发起方指出,当前全球芯片制造能力已难以满足未来科技发展的需求。据统计,美国现有芯片算力年产量约为0.5太瓦,而新制造中心设计产能将达到每年1太瓦,相当于将现有产能提升一倍。负责人特别提到,三星、台积电等传统制造商的扩产进度无法满足机器人和太空项目对芯片的爆发式需求,全球现有产能仅能覆盖未来需求的2%左右。若不自建生产设施,相关项目将面临芯片供应中断的风险。

目前项目方尚未公布具体投资规模和建设时间表。作为行业参照,台积电在美国的芯片项目已累计规划投资1650亿美元,计划建设6座晶圆厂,其2纳米工艺芯片的量产时间预计在2029年前后。新制造中心的技术路线和产能规划,或将对全球半导体产业格局产生重要影响。

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