南京大学与东南大学科研团队在二维半导体领域取得重大突破，开发出氧辅助金属有机化学气相沉积（oxy-MOCVD）技术，成功攻克产业化制备中的关键动力学难题。该成果于国际权威期刊《科学》发表，标志着我国在下一代半导体技术竞争中迈出关键一步。
二维半导体因其原子级厚度特性，在埃米级集成电路等领域具有广阔应用前景，但产业化进程长期受制于两大瓶颈：外延衬底制备与生长动力学控制。2025年10月，研究团队曾通过"稀土原子点石成晶"技术实现大尺寸、低对称性衬底的突破，解决了外延模板定向生长难题。此次研究则聚焦于生长动力学优化，针对传统MOCVD技术存在的晶畴尺寸小、生长速率低、碳污染严重等问题展开攻关。
科研团队创新性地提出双管齐下的解决方案：首先采用无氢、低碳的二硫化碳（CS₂）替代传统硫源，从源头减少杂质引入；进而开发oxy-MOCVD技术，通过引入氧气与前驱体在高温下预反应，生成高纯度、高活性的反应中间体。实验数据显示，新反应路径的能垒从2.02电子伏特降至1.15电子伏特，动力学速率显著提升，同时有效抑制含碳中间体形成，为大面积高质量二硫化钼（MoS₂）薄膜的外延生长奠定基础。
该技术与前期"点石成晶"技术形成完整技术体系，构建了"衬底工程+动力学调控"的二维半导体产业化路径。研究团队通过精准调控生长动力学参数，实现了晶畴尺寸的指数级增长和生长速率的数量级提升，碳污染浓度降低至传统方法的百分之一以下。这些突破为二维半导体在高性能芯片、柔性电子等领域的规模化应用扫清障碍，有望推动我国在半导体技术迭代中占据先机。
