JEDEC固态技术协会近日在美国弗吉尼亚州正式揭晓了HBM4内存规范JESD270-4，这一最新版本标志着HBM内存技术迈入了新的性能高峰。
HBM4内存的升级亮点在于其采用了2048-bit的接口宽度，这一宽度是之前版本的两倍。结合8Gb/s的传输速率，HBM4的总带宽惊人地达到了2TB/s，为高性能计算提供了强有力的支持。
不仅如此，HBM4还支持多样化的DRAM堆栈层数和芯片密度。用户可以选择4层、8层、12层或18层的DRAM堆栈，以及24Gb或32Gb的芯片密度，这使得单堆栈的容量最高可达64GB，满足了不同应用场景的需求。
在通道数量上，HBM4也实现了翻倍提升。相较于HBM3的16个独立通道，HBM4增加到了32个，这一改进进一步提升了数据传输的效率和灵活性。同时，在电压方面，HBM4也进行了优化，VDDQ电压可选0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，VDDC电压可选1.0V或1.05V，这些改进共同降低了功耗，提高了能效。
在安全性方面，HBM4引入了DRFM定向刷新管理功能，这一功能显著提升了对row-hammer攻击的防御能力，为用户的数据安全提供了更加可靠的保障。
英伟达技术营销总监Barry Wagner，同时也是JEDEC HBM小组委员会主席，对此表示：“随着HPC平台的快速发展，对内存带宽和容量的需求日益迫切。HBM4的推出，正是技术行业领导者共同努力的结果，旨在推动AI和其他加速应用的高效、高性能计算实现质的飞跃。”
