【沃资讯】10月19日消息，三星，全球最大的NAND闪存供应商，正积极推动其第九代V-NAND(3D NAND)技术的发展，该技术将拥有超过300层，创业内新纪录。
三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培在一篇博客文章中宣布，第九代V-NAND采用双层结构，拥有业界最高层数。他表示，明年初将开始量产这一创新技术，继续领先竞争对手。
今年8月，已经有消息透露三星正在研发第九代V-NAND，拥有超过300层，仍然采用三星首次使用的双层技术。而根据最新的官方声明，三星的第九代V-NAND的层数将超过竞争对手，包括SK海力士，后者的下一代3D NAND将具有321层。
这一层数的提升将有助于三星提高其3D NAND设备的存储密度，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还将提高性能。李政培指出，三星还在研究下一代技术，以最大化V-NAND的输入/输出速度，为用户提供更高的性能。
尽管目前尚不清楚第九代V-NAND的性能表现如何，但预计三星将使用这一存储器技术来生产即将推出的固态硬盘，可能采用PCIe Gen5接口。此外，三星也在积极追求更长期的技术创新，包括最小化单元干扰、减小高度和提高垂直层数，以实现业内最小的单元尺寸。这些创新将有助于三星实现愿景，即拥有超过1000层的3D NAND和高度差异化的存储器解决方案。
