台积电在半导体工艺领域的探索步伐从未停歇，不仅在全力推进采用GAAFET全环绕晶体管的N2、A16、A14等先进工艺，同时也致力于挖掘传统FinFET立体晶体管的潜力。其N3系列工艺节点，作为该技术的最后一代，仍在持续演进之中。
在近期于美国举办的北美技术论坛2025上，台积电宣布了一项重要进展：3纳米级工艺的第三代——N3P，已于2024年第四季度成功投入量产。而更先进的第四代N3X，也计划在同年下半年进入生产阶段。
N3P作为N3E的升级版，专为追求高性能的客户端及数据中心应用而设计，同时保持了与前代工艺的IP与设计兼容性。据台积电官方数据，N3P在同等功耗下性能可提升约5%，而在同等性能下功耗可降低5-10%。晶体管密度也提升了4%，尤其是SRAM的缩放效果尤为显著。
回顾过去，苹果M3、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等芯片均采用了N3E工艺。随着N3P的量产，业界普遍关注这些产品是否会迎来升级换代，或是直接跨越至更先进的N2工艺。
相较于N3P，N3X作为再次升级版，性能提升更为显著。在同等功耗下，性能可再提升5%；而在同等性能下，功耗可降低7%。尤为重要的是，N3X支持最高达1.2V的电压，能够将频率与性能发挥至极致。然而，这一提升也带来了漏电率骤然增大最多250%的代价，因此芯片设计需极为谨慎。
台积电还透露，N3系列工艺在明年还将迎来N3A、N3C两个新版本。尽管未做具体介绍，但从定位来看，N3C将主打超低成本，面向低端市场。
台积电N3系列中还有一个特殊版本——N3B。然而，由于性能和成本均表现不佳，大客户中仅有Intel采用，用于其Lunar Lake、Arrow Lake系列处理器。这一选择，也让Intel在某种程度上成为了“大冤种”。
