【沃资讯】1月23日消息，三星近日在其晶圆代工厂启动第二代3nm工艺SF3的试产工作，此举被视为三星半导体技术发展史上的重大突破。这一新工艺的推出，意味着三星与台积电在先进工艺领域的竞争将愈发激烈。
SF3工艺的创新之处在于其能够在同一单元内实现不同的环栅(GAA)晶体管纳米片沟道宽度，这种灵活性为芯片设计带来了更低的功耗、更高的性能以及更高的晶体管密度。据沃资讯了解，这一技术的突破将有望推动人工智能、物联网、汽车等多个领域的快速发展。
三星对于SF3工艺的发展前景充满信心。据报道，三星计划在接下来的6个月内将SF3的工艺良率提升至60%以上。此外，三星还计划将SF3工艺首先应用于可穿戴设备处理器上，其中Galaxy Watch 7系列有望成为首批搭载SF3工艺芯片的产品。同时，备受关注的Exynos 2500手机芯片也将在明年采用SF3工艺进行商用，并由Galaxy S25系列手机首发搭载。这一系列布局表明，三星正积极推进新工艺的应用和普及，以期在全球半导体市场中占据更有利的地位。
