复旦大学在集成电路领域取得了又一重大进展，这一消息引起了业界的广泛关注。据悉，该校的研究团队在二维半导体芯片研究取得成果后，仅隔两周，便再次宣布了关键性的技术突破。
复旦大学周鹏与刘春森教授带领的团队，通过精心构建的准二维泊松模型，成功在理论上预测了超注入现象，这一发现打破了当前存储速度的理论上限。基于这一理论，他们研制出了名为“破晓（PoX）”的皮秒闪存器件，标志着存储技术的全新里程碑。
“破晓”皮秒闪存器件的擦写速度惊人，达到了亚1纳秒级别，即400皮秒，这意味着每秒可执行的操作次数高达25亿次。这一性能表现不仅超越了当前同技术节点下的世界最快易失性存储SRAM技术，更是将存储速度推向了一个全新的高度。
这一突破性成果已被《自然》期刊收录，并以《亚纳秒超注入闪存》为题发表。文章详细阐述了团队如何通过理论预测与实验验证相结合的方式，成功研制出这一革命性的存储器件。
据专家介绍，“破晓”技术是目前世界上最快的半导体电荷存储技术，其存储与计算速度相当，这一特性有望彻底颠覆现有的存储器架构。在完成规模化集成后，该技术将带来存储领域的深刻变革。
更为引人注目的是，“破晓”技术还为未来个人电脑的发展提供了新的可能。一旦该技术得以广泛应用，个人电脑将不再区分内存和外存，无需分层存储，这将极大地提升电脑的运行效率和用户体验。该技术还有望实现AI大模型的本地部署，为人工智能的普及和应用开辟新的道路。
目前，复旦大学团队已将“破晓”技术与CMOS相结合，成功打造出了Kb级芯片，并已完成流片。接下来，他们计划在未来3-5年内将芯片集成到几十兆的水平，并寻求与企业的合作，以推动该技术的产业化进程。
