在科技领域的一次重大突破中，全球存储领域的领头羊三星，竟然选择了与中国长江存储合作，引进了后者的专利技术来研发其下一代产品。这一举动迅速产生了显著成果——三星宣布成功研发出基于长江存储技术的第十代V-NAND闪存，堆叠层数高达400多层。
长久以来，三星与其他传统闪存制造商一样，采用在同一块晶圆上制造CMOS控制电路和存储阵列的方式。然而，随着堆叠层数和存储密度的不断攀升，这种传统架构面临着越来越大的挑战。长江存储的Xtacking晶栈架构则采用了截然不同的方法：控制电路和存储阵列分别在两块晶圆上制造，然后再进行键合。这一创新不仅降低了制造难度和成本，还为未来的技术升级开辟了新途径。
三星的第十代V-NAND闪存正是引入了这一设计，从而实现了技术上的飞跃。值得注意的是，铠侠/闪迪在其第八代到最新的第十代闪存中也采用了类似的架构，这进一步证明了长江存储技术的先进性和市场认可度。
长江存储的晶栈架构以其独特的设计理念和显著的优势，在全球范围内引起了广泛关注。与此同时，铠侠的最新架构也展示了该领域技术的快速发展。
三星的第十代V-NAND闪存不仅在堆叠层数上实现了突破，达到了前所未有的高度（具体数字虽未公开，但已远超当前记录），还在其他方面展现出了强大的性能。该闪存采用TLC技术，单Die容量高达1Tb（128GB），存储密度达到每平方毫米28Gb。尽管在存储密度上略低于三星自家的1Tb QLC颗粒，也远不及铠侠第十代的大约每平方毫米36.4Gb，但三星显然更看重堆叠层数的提升。在接口传输速度方面，该闪存达到了5600MT/s，即700MB/s，领先业界。
这一速度优势意味着，仅需10颗芯片就能充分利用PCIe 4.0 x4接口的带宽，20颗芯片则能满足PCIe 5.0 x4的需求，而32颗芯片更是能轻松应对PCIe 6.0 x4的高带宽要求。考虑到大多数NAND闪存芯片都是由8颗或16颗Die封装而成，因此，通过合理的封装设计，可以实现单颗芯片2TB的容量，M.2 SSD单面容量更是可达8TB，双面则能达到惊人的16TB（尽管由于兼容性问题，双面设计并不多见）。
三星对于未来的规划更是雄心勃勃，他们计划在2030年左右实现1000层的堆叠技术，这将进一步巩固其在全球存储领域的领先地位。
