【沃资讯】11月21日消息，最新数据显示，华为技术有限公司与哈尔滨工业大学合作申请的专利“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”已经正式公布。
该专利涉及高科技芯片制造技术领域，其方法包括制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理。接着，经过等离子体活化处理的Cu/SiO2混合键合样品会被浸泡于有机酸溶液中，清洗并吹干。在吹干后，待键合表面上滴加氢氟酸溶液，以进行硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的预键合，最终形成预键合芯片。随后，预键合芯片将经过热压键合和退火处理，最终产出混合键合样品对。
这一技术创新实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成，为芯片领域带来了新的可能性。
据了解，该专利申请于2023年10月27日公布，其影响已经显现，培育钻石概念股的涨幅已经超过16%。此举标志着在芯片研发领域取得的重要突破，也为未来的科技创新铺平了道路。
