【沃资讯】8月18日消息，三星电子的最新计划引发了科技产业的关注。据消息报道，三星电子计划在明年推出第9代V-NAND闪存产品，这一次将采用双层堆栈架构，层数超过300层。这一举措将进一步提升存储技术的前沿，为固态硬盘等产品带来更大的性能提升。
据了解，双层堆栈架构是指在300mm晶圆上构建3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上构建另一个堆栈。这种创新设计可以显著提高单个晶圆上的存储密度，从而降低生产成本，对于固态硬盘市场的竞争将产生积极影响。
不仅如此，三星的计划还将超越竞争对手SK海力士的规划。据悉，SK海力士计划在2025年上半年开始量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。尽管这种构架方式在提高产量方面有一定优势，但需要更多的生产步骤和原材料投入。
业内人士透露，三星在推出第9代3D NAND之后，可能会在未来的第10代产品中采用三层堆栈架构。这将进一步推动存储层数的提升，达到430层。这种做法考虑到了材料用量、生产成本以及产量的平衡，对于保持可行性和竞争力都具有重要意义。
在2022年的三星科技日上，三星提出了一个雄心勃勃的目标，即到2030年将3D NAND的层数提升至1000层。这一愿景充分展示了三星在存储技术领域的持续创新和发展努力，有望在未来带来更多令人期待的突破。
