三星电子在半导体领域的布局正持续深化，其代工业务与存储业务均迎来重要进展。据行业消息，备受关注的Groq 3 LPU芯片已确定由三星电子代工生产，预计采用4纳米工艺制造。三星半导体业务执行副总裁韩进万透露，该芯片量产计划将于今年第三季度末或第四季度初启动，市场对其需求预计在明年进一步攀升。
韩进万进一步表示，三星与Groq的合作始于2023年英伟达收购该企业之前，三星工程师不仅深度参与项目，还在LPU芯片设计阶段提供了关键技术支持。此前，分析师郭明錤曾指出，英伟达对Groq的投资显著提升了LPU的出货量预期，预计2026至2027年总出货量将达400万至500万颗。
在存储领域，三星电子同样动作频频。据Businesskorea报道，三星已启动第八代高带宽内存（HBM5）的研发工作，其底层芯片计划采用2纳米工艺制造。对于第九代产品HBM5E，三星计划在核心芯片上率先应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM技术。三星存储器开发执行副总裁黄相俊强调，随着器件性能持续提升，公司将持续把最先进工艺应用于HBM系列产品。
市场研究机构TrendForce集邦咨询此前分析指出，随着AI基础设施扩张带动GPU需求增长，HBM4市场有望在2026年第二季度迎来爆发。目前，三星、SK海力士和美光三大存储原厂的HBM4验证程序已接近尾声，其中三星凭借产品稳定性优势，预计将率先通过验证。值得一提的是，三星已抢先将1c DRAM技术应用于HBM4核心芯片，并采用自研4纳米工艺制造基础芯片，上月更成为首家向英伟达供应HBM4的企业。
韩进万认为，三星HBM4基础芯片采用4纳米工艺制造，预示着未来市场对4纳米工艺的需求将显著增加。资本市场对三星的系列布局反应积极，公司股价今日跳空高开，涨幅一度扩大至6%，本周累计涨幅已超11%，市值突破1370万亿韩元（约合9212亿美元）。
