三星电子DRAM内存领域率先采用干式光刻胶技术，或提升HBM4性能

近日，韩国媒体ETNews报道了一项来自三星电子的重大技术突破。据悉，三星在DRAM内存制造领域成功引入了干式光刻胶（Dry PR）技术，并将此技术应用于其即将推出的第六代10纳米级工艺（1c nm）中。

报道指出，三星电子已经完成了干式光刻胶涂覆和显影等关键工序所需的设备配置，这些设备均由泛林集团（Lam Research）提供。这一技术革新标志着三星在半导体制造工艺上迈出了重要一步。

干式光刻胶技术与传统的湿式光刻胶存在显著差异。传统湿式光刻胶使用溶液旋涂方式，并在后续过程中需要溶剂冲洗，而干式光刻胶则是直接沉积到晶圆表面。这一改变有效避免了光刻胶去除过程中因液体表面张力导致的图案完整性问题，从而提升了制造精度。

干式光刻胶还具备更高的曝光效率，能够实现更为精细的线宽，这对于半导体器件的性能提升具有重要意义。三星电子计划将这一技术应用于其HBM4产品中，通过提升图案质量来增强HBM4堆栈的信号完整性和可靠性。

值得注意的是，泛林集团在今年早些时候已经宣布，其干式光刻胶技术已被一家领先的存储器制造商在最先进的DRAM工艺中采用。如今，三星电子的加入进一步证明了干式光刻胶技术在半导体制造领域的广阔前景。