在近期举办的Foundry Direct Connect 2025大会上，英特尔新任首席执行官陈立武披露了公司在半导体工艺领域的最新进展。据透露，英特尔的18A工艺节点已成功迈入风险生产阶段，预计将于2025年末正式投入量产。与此同时，该工艺的增强版本——18A-P，已在晶圆厂顺利运行并产出首批早期晶圆。
陈立武还进一步分享了18A工艺的衍生版本18A-PT的信息。据悉，18A-PT将采用一种名为Foveros Direct的3D堆叠技术，这种技术类似于3D V-Cache，能够实现垂直晶圆堆叠，从而在关键互连密度方面与业界领先者台积电的产品相抗衡。
英特尔还揭晓了14A工艺节点的最新动态。作为18A的继任者，14A（等效于1.4纳米）预计将于2027年面世，并开创性地采用High-NA EUV光刻技术。与18A相比，14A在能效方面预计将提升15%至20%，芯片密度将增加约30%，同时功耗也将进一步降低。
为了响应市场对先进封装技术的需求，英特尔代工服务将推出系统级集成服务。该服务将依托Intel 14A和Intel 18A-P制程节点，结合Foveros Direct（3D堆叠）和EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，为客户提供连接解决方案。不仅如此，英特尔还计划推出多项新的先进封装技术，包括面向未来高带宽需求的EMIB-T，以及在Foveros 3D领域的Foveros-R和Foveros-B，为客户提供更多高效且灵活的选择。
根据英特尔的官方路线图，18A-P将于2026年推向市场，而18A-PT则需等到2028年。至于14A节点，则将在2027年到来，并伴随有14A-E工艺的推出。在行业竞争方面，台积电的2纳米（N2）工艺预计将于2025年下半年量产，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%。值得注意的是，英特尔的14A节点预计将比台积电同类产品提前一年推出，并且首次采用High-NA EUV技术，这无疑为英特尔在半导体工艺领域的竞争增添了新的筹码。
