近期，存储行业年度盛会CFMS | MemoryS 2025在深圳如期举行，吸引了众多行业内外目光。借此契机，我们有幸采访到铠侠电子的多位高层管理人员，就闪存行业的发展趋势以及铠侠自身的战略规划进行了深入探讨。
此次接受采访的铠侠高管团队阵容强大，包括铠侠株式会社首席技术官柳茂知、铠侠电子（中国）董事长兼总裁岡本成之、副总裁天野竜二、闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史以及闪存颗粒市场统括部高级总监钱阿蒙。
针对当前NAND闪存厂商在堆叠层数上的激烈竞争，铠侠方面表示，尽管市场上已有不少300+层堆叠的闪存产品被宣布，但目前尚未实现量产。铠侠现阶段的主力产品仍为第五代BiCS5，堆叠层数为112层，并已应用于最新的PM7 SAS-4 SSD和CM7 PCIe 5.0 SSD中，单盘最大容量可达32TB TLC。
同时，铠侠透露，其218层堆叠的第八代BiCS 8自2024年7月起已开始量产，并将于今年加大批量供货。目前，BiCS 8的生产主要在日本三重县四日市的工厂进行，而自今年秋季起，日本北上工厂也将开始生产BiCS 8。铠侠预计，在未来一年左右，BiCS 5和BiCS 8将共同成为其供货的主力军。
铠侠强调，第八代BiCS8闪存不仅通过增加堆叠层数扩大了容量，还通过平面方向的定标和双晶圆键合技术，实现了更高的存储密度，从而具备了强大的成本竞争力。速度的提升也是闪存发展的关键所在。
铠侠刚刚发布的LC9 122.88TB SSD，作为业界第二款达到如此高容量的产品，首次采用了第八代BiCS NAND架构的2Tb QLC闪存。该产品支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0和NVMe-MI接口，顺序读写速度分别为12GB/s和3GB/s，适合读取密集型应用。
铠侠还宣布了第九代BiCS9和第十代BiCS10，开启了双路线并行的全新策略。BiCS9在提高复用率、降低成本的同时，搭配最新的CMOS制程，使I/O速度提高到4800MT/s。而BiCS10则同时升级了存储阵列和CMOS制程，堆叠层数最多可达332层，存储密度提升超过59%，同样支持4800MT/s，带来更高的性能和能效。
展望未来，铠侠和三星都规划了1000层左右的闪存架构，预计将在2030年左右实现。铠侠表示，从技术角度来看，实现1000层以上的闪存堆叠是可行的，但关键在于取得性能和成本之间的平衡。因此，铠侠将不断推进包括水平方向在内的存储密度提升，以更好地满足市场需求。
在SSD传输协议方面，铠侠预计PCIe 6.0 SSD将在2025年开始出现，2026年开始部署，2028年左右开始普及；而PCIe 7.0 SSD则要到2028年才会出现，2029年开始部署。铠侠的BiCS9闪存主要面向PCIe 6.0 SSD，而BiCS10则可用于未来的PCIe 6.0乃至PCIe 7.0 SSD。
对于整个NAND闪存市场，铠侠认为，在经历去年第四季度的明显回暖后，由于闪存厂商和行业客户的产能及库存调整，供求平衡将继续改善，市场将持续复苏。尽管AI PC和AI手机的存储需求不断增加，但短期内PC和手机市场状况仍不乐观。然而，数据中心和企业市场对存储的需求将持续增长，特别是在AI训练和推理应用的推动下，高性能、大容量企业级SSD产品的需求有望在2025年下半年进一步恢复。
