美光科技近日宣布了一项重大突破，其基于尖端1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已成功投产。这一创新不仅在性能、能效以及密度方面实现了显著提升，更标志着美光在内存技术领域的又一里程碑。
值得注意的是，DRAM内存行业的工艺节点标注方式一直较为特殊，并非直接采用具体的数值，而是通过1a、1b、1c、1α、1β、1γ等迭代顺序来表示技术的不断进步。据悉，1a工艺接近20纳米级别，而最新的1γ工艺则已逼近10纳米大关。
尤为引人注目的是，美光此次在1γ DDR5内存芯片的生产中首次采用了EUV极紫外光刻工艺。尽管三星和SK海力士已在此前引入了该技术，但美光同时引入了下一代HKMG金属栅极技术，并预计采用全新的BEOL后端工序，这无疑将进一步提升其产品的竞争力。
尽管美光并未透露具体使用了多少层EUV光刻，但业界推测，目前可能仅在关键层上应用了EUV技术，以避免多重曝光带来的时间和成本增加。
在容量方面，美光的1γ DDR5内存芯片单颗容量高达16Gb（即2GB），能够轻松构建出单条容量达128GB的企业级产品。与上一代1β工艺相比，其容量密度再次提升了30%，这一提升幅度与以往每代工艺升级时的表现相符。
在能效方面，1γ DDR5内存芯片仅需1.1V的标准电压，即可达到9200MHz（或称为9200MT/s）的超高频率。而市面上常见的高频内存往往需要1.35V甚至1.45V的高电压。更低的电压不仅提升了使用的安全性，还有效降低了功耗，与1β工艺相比，最多可降低20%。
目前，美光的1γ DDR5内存芯片仅在日本工厂进行生产，但公司计划逐步扩大产能，相关产品预计将于今年年中左右上市。美光还透露，未来其在中国台湾的工厂也将引入EUV技术，并采用1γ工艺制造GDDR7显存以及LPDDR 5X高频内存（最高频率可达9600MHz）。
