红旗碳化硅功率芯片首秀成功，全链条自主开发引关注！

一汽红旗近日取得了重要技术突破，其研发总院新能源开发院功率电子开发部成功自主研发出碳化硅功率芯片，并已完成首次流片。这一成果标志着红旗在新能源汽车核心技术领域迈出了坚实的一步。

在研发过程中，红旗团队全面主导了从产品核心指标定义到晶圆封测的全链条开发。他们精心选择了衬底与外延材料，并设计了创新的元胞结构，以确保芯片的高性能和高可靠性。

据官方介绍，这款碳化硅功率芯片专为整车电驱动、智慧补能等系统应用需求而设计。它采用了多项先进技术，实现了击穿电压超过1200V和导通电阻小于15mΩ的优异性能。